铠侠开发出第10代NAND闪存速度提升3成

日本铠侠控股2月20日宣布开发出了新一代NAND型闪存。代表性能的层数为332层，比以往的218层有所增加。数据传输速度提高33%。铠侠此次开发的是被称为第10代的技术。与目前第8代的218层产品相比，输入数据时的电力效率提高10%，输出时提高34%。单位面积的存储容量提高59%。