作为昇腾910C的继任者，昇腾920预计将于2025年下半年实现量产。昇腾920预计将采用6nm工艺，晶体管密度提升30%以上，功耗降低约15%。规格方面，单卡性能超过900 TFLOPS，内存带宽提升至4000 GB/s，并升级至HBM3模块。纯训练版920C将保留Chiplet设计，并增强张量运算加速器，针对Transformer和MoE模型进行优化，预计整体训练效率相比910C提升30-40%。 此外，它将支持PCIe 5.0和下一代高吞吐量互连协议，进一步优化资源调度和跨节点协作。
作为昇腾910C的继任者，昇腾920预计将于2025年下半年实现量产。昇腾920预计将采用6nm工艺，晶体管密度提升30%以上，功耗降低约15%。规格方面，单卡性能超过900 TFLOPS，内存带宽提升至4000 GB/s，并升级至HBM3模块。纯训练版920C将保留Chiplet设计，并增强张量运算加速器，针对Transformer和MoE模型进行优化，预计整体训练效率相比910C提升30-40%。 此外，它将支持PCIe 5.0和下一代高吞吐量互连协议，进一步优化资源调度和跨节点协作。